電子半導(dǎo)體超凈高純(VLSD) 試劑是大規(guī)模集成電路(IC) 及高檔半導(dǎo)體器件制造過(guò)程的專(zhuān)用化學(xué)品，主要用于硅單晶片的清洗、光刻、腐蝕工序中，它的純度和潔凈度對(duì)集成電路的成品率、電性能、可靠性都有著重要的影響。

隨著IC集成度的不斷提高，對(duì)超凈高純?cè)噭┑馁|(zhì)量指標(biāo)提出了更高要求。國(guó)際上半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Industry Association) 新近推出Semi C7 (適合0.8~1.2μm 工藝技術(shù)) 和Semi C8 (適合于0.2~0.6μm 工藝技術(shù)) 級(jí)別試劑質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

中國(guó)的超凈高純?cè)噭┯械蛪m高純級(jí)、MOS級(jí)、BV-I 級(jí)、BV-I級(jí)、BV-皿級(jí)(相當(dāng)于Semi C7 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn))。

水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)

1、ASTM-D5127-2007《美國(guó)電子學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)用超純水標(biāo)準(zhǔn)》

2、歐盟電子級(jí)超純水標(biāo)準(zhǔn)

3、中國(guó)電子工業(yè)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T11446.1-1997

技術(shù)要求

半導(dǎo)體芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷卻用水，基板晶圓片檢測(cè)清洗用水，中段晶圓片濺鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗，后段檢測(cè)封裝清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生長(zhǎng)用水，中段主要在曝光、顯影、去光阻清洗用水，后段檢測(cè)封裝用水。同時(shí)，半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)TOC的要求較高。